高頻介質損耗測試系統(tǒng)試驗機適用范圍：

能對絕緣材料進行高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測試。

它符合國標GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007，美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
本測試裝置是由測微平板電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進平板電容器和不放進樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)變化通過公式計算得到。

同樣，由平板電容器的刻度讀數(shù)變化，通過公式計算得到介電常數(shù)。

• 高頻介質損耗測試系統(tǒng)試驗機概述

介質損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，

還有復合材料等的一項重要的物理性質，

通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），

可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據；

儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。

它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，

標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉換，數(shù)值顯示等新技術，

改進了調諧回路，使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低，

并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。

儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，

電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，

電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。

該儀器用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。儀器遵從標準：GB/T5594.4-1985。

• 儀器的技術指標

1．Q值測量

a．Q值測量范圍：5～999。

b．Q值量程分檔：30、100、300、999、自動換檔。

c．標稱誤差

      頻率范圍：25kHz～10MHz；

      固有誤差：≤5％±滿度值的2％；工作誤差：≤7％±滿度值的2％；

      頻率范圍：10MHz～50MHz；

      固有誤差：≤7％±滿度值的2％；工作誤差：≤10％±滿度值的2％。

2．電感測量

a．測量范圍：0.1μH～1H。

b．分    檔：分七個量程。

      0.1～1μH，    1～10μH，    10～100μH，

      0.1～lmH，     1～10mH，     10～100mH，   100 mH～1H。

3．電容測量

a．測量范圍：1～460pF(460pF以上的電容測量見使用規(guī)則)；

b．電容量調節(jié)范圍

      主調電容器：40～500pF；

      準  確  度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％；

      微調電容量：－3pF～0～＋3pF；

      準  確  度：±0.2pF。

4．振蕩頻率

a．振蕩頻率范圍：25kHz～50MHz；

b．頻率分檔：

25～74kHz，    74～213kHz，    213-700kHz，    700kHz～1.95MHz，

1.95MHz～5.2MHz，    5.2MHz～17MHz，    17～50MHz。

c．頻率誤差：2×10^-4±1個字。

5．Q合格指示預置功能，預置范圍：5～999。

6．儀器正常工作條件

a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；

b．相對濕度：<80％；

c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。  

7．試樣尺寸

圓片形：厚度2+0.5mm，直徑為Φ30~40mm（ε<12時），Φ25~35mm（ε=12~30時），Φ15~20mm（ε>30時）

8．其他

a．消耗功率：約25W；

b．凈重：約7kg；

c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

實驗步驟：

1．本儀器適用于110V/220V , 50Hz+0.5Hz交流電，使用前要檢查市電電壓是否合適，采用穩(wěn)壓電源，以保證測試條件的穩(wěn)定。

2．開機預熱15分鐘，使儀器恢復正常狀態(tài)后才能開始測試。

3．按部件標準制備好的陶瓷試樣，兩面用燒滲法被上銀層，并分別焊上一根Φ0.8mm，30~40mm長的金屬引線。引線材料為銅，表面鍍銀并浸錫。

4．選擇適當?shù)妮o助線圈插入電感接線柱。根據需要選擇振蕩器頻率，調節(jié)測試電路電容器使電路諧振。假定諧振時電容為C₁，品質因素為Q₁。

5． 將被測樣品接在“C_X”接線柱上。

6．再調節(jié)測試電路電容器使電路諧振，這時電容為C₂，可以直接讀出Q₂，并且Q₂= Q₁－△Q，。

7．用游標卡尺量出試樣的直徑Φ和厚度d（分別在不同位置測得兩個數(shù)據，再取其平均值）。

8.方形式樣按其邊長的4倍計算Φ值

實驗結果：

1．tanδ和ε測定記錄

實驗數(shù)據按表1要求填寫。

表1                  tanδ和ε測定記錄表

2．計算

1）介電常數(shù)ε

式中：C---試樣的電容量（PF）, C= C₁－C₂；

d---試樣厚度（cm）；

Φ—試樣直徑（cm）。

2）介質損耗角正切tanδ

3) Q值

注意事項

1．圓片形試樣的尺寸（Φ=38mm+1mm，d=2mm+0.5mm）要符合公差要求，兩面燒滲銀層、浸錫及焊接引出線要符合技術條件。

2．電壓或頻率的劇烈波動常使電橋不能達到良好的平衡，所以測定時，電壓和頻率要求穩(wěn)定，電壓變動不得大于1%，頻率變動不得大于0.5%。

3．電極與試樣的接觸情況，對tanδ的測試結果有很大影響，因此燒滲銀層電極要求接觸良好、均勻，而厚度合適。

4．試樣吸濕后，測得的tanδ值增大，影響測量精度，應嚴格避免試樣吸潮。

5．在測量過程中，注意隨時檢查電橋本體屏蔽的情況，當電橋真正達到平衡，“本體-屏蔽”開關置于任何一邊時，檢查計光帶均應zui小，而無大變化。